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科学家发明半导体腐蚀新技术
发布时间： 2011-12-23 浏览次数： 151
美国伊利诺伊大学的研究人员发明了一种化学腐蚀新技术🥭，可以在砷化镓（GaAs）中生成图形化阵列。该技术使高端光电装置的制备变得更容易。相关研究论文于11月3日在线发表在《纳米快报》（Nano Letters）上。 
通常用两种方法来进行半导体腐蚀：湿法腐蚀和干法腐蚀👰🏼‍♀️。在光电应用方面🎢，III-V族半导体GaAs是比硅性能更好的半导体材料。大的宽高比结构对高端光电装置应用至关重要，但是GaAs难以用传统干法腐蚀来得到大的宽高比结构。李秀玲（Xiuling Li）领导的小组优化了MacEtch方法（金属辅助化学腐蚀方法）🎙，同时为了在GaAs表面生长金属薄膜图案，李秀玲小组完善出一种软刻蚀技术🔓。李秀玲说，结合软刻蚀技术和MacEtch方法可以以低成本的方式大面积生产高宽高比的III-V族纳米结构半导体。 
李秀玲表示🏮，只要找到合适的刻蚀条件，MacEtch方法就可以广泛应用。（来源👨🏼‍🏭：科学网 徐绍亮）

 
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